Новые устройства для электроники, которые могут одновременно реагировать на магнитные и электрические поля. Основой разработки стали структуры, способные менять свои электрические и магнитные свойства под воздействием внешних полей. Это позволяет применять их в приборах нового поколения, таких как магнитоэлектрические резисторы, магнитоэлектрические диоды и магнитоэлектрические транзисторы. Эти устройства помогут сделать электронику более функциональной, устойчивой и позволит отечественным устройствам выйти на новый уровень.

В чём новизна:

• Подробное изучение уникальных материалов, сочетающих магнитные и электрические свойства.
• Моделирование и исследование структуры устройств с использованием таких материалов, как арсенид галлия и сплавы на основе никеля.
• Разработка методов измерения характеристик композиционных материалов.
• Комплексные теоретические и практические эксперименты по созданию слоистых структур для магнитоэлектрических приборов.

В практическом применении:
Наши исследования позволяют создать новую основу для магнитоэлектрических устройств, которые могут быть использованы для разработки уникальных электронных приборов. Изучение таких материалов и их свойств открывает новые возможности для российской электроники и помогает укрепить её позиции на рынке. Уже получены патенты на ряд новаторских решений и на само изобретение, опубликованы более десятка научных статей в журналах, входящих в перечень ВАК, Scopus, что подчеркивает важность и актуальность данной работы в области магнитоэлектронике.

Патенты на полезную модель и изобретения:

1. Патент на полезную модель «Датчик магнитного поля» № 145581; 2014 г;
2. Патент на изобретение «Контактное устройство» № 2657460; 2018 г;
3. Патент на полезную модель «Магнитоэлектрический полевой транзистор» № 209743, 2022 г;
4. Патент на полезную модель «Магнитоэлектрический тиристор» № 209746, 2022 г;
5. Патент на полезную модель «Магнитоэлектрический биполярный транзистор» № 210255, 2022 г.

Работа/исследование выполнена при поддержке гранта Фонда содействия инновациям, предоставленного в рамках программы «Студенческий стартап» федерального проекта «Платформа университетского технологического предпринимательства» на основании договора (соглашения) №2445ГССС15-L/90103 о предоставлении гранта на выполнение работ по разработке новых товаров, изделий, технологий или услуг с использованием результатов научно-технических и технологических исследований, имеющих потенциал коммерциализации и находящихся на самой ранней стадии развития от 08 декабря 2023 года, а также при поддержке ФГБОУ ВО «НОВГУ» на кафедре «Проектирование и технология радиоаппаратуры».